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RAM的全名為隨機存取記憶體(Random Access Memory)，可重複的寫入都出資料，但需 使用電力來保持資料，照組成來分有靜態記憶體(SRAM)及動態記憶體(DRAM)，DRAM由 於具有較低的單位容量價格，所以被大量的採用作為系統的主記憶。 快閃記憶體(Flash Memory ) 屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種，瞬間便可更改內部資料，電源關閉後，儲存在其內的資料不會流失為目前最熱門的新一代記憶體技術，平常使用狀況下，Flash Memory 為唯讀記憶體，但在特別軟、硬體驅動下，可以對其寫入資料，且可多次重複寫入。 Flash memory或是 FlashROM快閃記憶體,是目前最新的一種ROM型式(不過其內部材料已和最早的ＲＯＭ大相不同)是在１９８０年代由英特爾公司推出,主要用以替代ＥＥＰＲＯＭ,做為系統程式儲存及記錄(Code Storage),且注重在指令的快速讀取及對系統的開機管理,快閃記憶體並不需要不斷充電來維持其中的資料,但是每當資料更新時必須以blocks為單位加以覆蓋,而非一個byte或一個byte來寫入,Block的大小從２５６ｋｂ到２０ＭＢ不等。 快閃記憶體由ＥＥＰＲＯＭ演化而來,但是價格較便宜且位元密度較高,所以會成為ＥＷＥＰＲＯＭ的替代品。目前快閃記憶體多用於ＰＣＣａｒｄ記憶卡,主機板和ＳｍａｒｔＣａｒｄ。近年來,隨著寫入速度高容量及單位位元價格下降等因素考量,對聲音和影像等資料例如ＭＰ３的儲存也成為快閃記憶體技術發展的另一主流。 就Flash記憶體的結構,主要分成NOR NAND及EE-NOR三大主流架構,其技術特色有些不同。 NOR形態:這是由英特爾所發展的架構,讀取速度較快,而且可在單位區塊上進行指令的讀取寫入,其特性為高壓電,較長的抹除時間以及較大量的抹除區塊。此類型產品大都應用在程式指令的儲存與讀取/寫入以及ＰＣＣａｒｄ記憶卡。 NAND:由東芝所發展的架構,讀寫資料速度較慢,但是具有較小記憶面積,在相同密度之下,成本較ＮＯＲ型態低。適用於更高容量的產品開發及大量儲存裝置上,可用以替代磁碟機在可攜帶市場的地位,或做為消費性電子產品資料儲存用。 EENRO型態：針對ＮＯＲ型態加以改良,使其在相同記憶格面積下,能夠在更小的單位區塊上進行讀取寫入動作。不但可提升整體運作速度,更可滿足低電壓與低功率的運作要求。由於具有ＮＯＲ型態的高速效能,而適用於個人電腦程式指令儲存,能縮短指令讀取寫入時間;此外它還有低電壓和低功率的特性,所以被應用於可攜帶及無線電通訊產品上。
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又稱快閃儲存體 有關資料可以係呢度搵到: http://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=%E5%BF%AB%E9%97%AA%E5%AD%98%E5%82%A8%E5%99%A8&variant=zh-tw 希望幫到你^^ 2007-01-21 19:51:20 補充： 修正:快閃儲存體- 快閃存儲器|||||I no
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快閃記憶體是什麼?發問:
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RAM的全名為隨機存取記憶體(Random Access Memory)，可重複的寫入都出資料，但需 使用電力來保持資料，照組成來分有靜態記憶體(SRAM)及動態記憶體(DRAM)，DRAM由 於具有較低的單位容量價格，所以被大量的採用作為系統的主記憶。 快閃記憶體(Flash Memory ) 屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種，瞬間便可更改內部資料，電源關閉後，儲存在其內的資料不會流失為目前最熱門的新一代記憶體技術，平常使用狀況下，Flash Memory 為唯讀記憶體，但在特別軟、硬體驅動下，可以對其寫入資料，且可多次重複寫入。 Flash memory或是 FlashROM快閃記憶體,是目前最新的一種ROM型式(不過其內部材料已和最早的ＲＯＭ大相不同)是在１９８０年代由英特爾公司推出,主要用以替代ＥＥＰＲＯＭ,做為系統程式儲存及記錄(Code Storage),且注重在指令的快速讀取及對系統的開機管理,快閃記憶體並不需要不斷充電來維持其中的資料,但是每當資料更新時必須以blocks為單位加以覆蓋,而非一個byte或一個byte來寫入,Block的大小從２５６ｋｂ到２０ＭＢ不等。 快閃記憶體由ＥＥＰＲＯＭ演化而來,但是價格較便宜且位元密度較高,所以會成為ＥＷＥＰＲＯＭ的替代品。目前快閃記憶體多用於ＰＣＣａｒｄ記憶卡,主機板和ＳｍａｒｔＣａｒｄ。近年來,隨著寫入速度高容量及單位位元價格下降等因素考量,對聲音和影像等資料例如ＭＰ３的儲存也成為快閃記憶體技術發展的另一主流。 就Flash記憶體的結構,主要分成NOR NAND及EE-NOR三大主流架構,其技術特色有些不同。 NOR形態:這是由英特爾所發展的架構,讀取速度較快,而且可在單位區塊上進行指令的讀取寫入,其特性為高壓電,較長的抹除時間以及較大量的抹除區塊。此類型產品大都應用在程式指令的儲存與讀取/寫入以及ＰＣＣａｒｄ記憶卡。 NAND:由東芝所發展的架構,讀寫資料速度較慢,但是具有較小記憶面積,在相同密度之下,成本較ＮＯＲ型態低。適用於更高容量的產品開發及大量儲存裝置上,可用以替代磁碟機在可攜帶市場的地位,或做為消費性電子產品資料儲存用。 EENRO型態：針對ＮＯＲ型態加以改良,使其在相同記憶格面積下,能夠在更小的單位區塊上進行讀取寫入動作。不但可提升整體運作速度,更可滿足低電壓與低功率的運作要求。由於具有ＮＯＲ型態的高速效能,而適用於個人電腦程式指令儲存,能縮短指令讀取寫入時間;此外它還有低電壓和低功率的特性,所以被應用於可攜帶及無線電通訊產品上。
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又稱快閃儲存體 有關資料可以係呢度搵到: http://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=%E5%BF%AB%E9%97%AA%E5%AD%98%E5%82%A8%E5%99%A8&variant=zh-tw 希望幫到你^^ 2007-01-21 19:51:20 補充： 修正:快閃儲存體- 快閃存儲器|||||I no
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